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2N5460G Technische Spezifikationen

2N5460G datasheet pdf and Transistors - JFETs product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / JFETs Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 8 hours ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~135°C TJ
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory FET General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 350mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Operating Mode DEPLETION MODE
Power - Max 350mW
Transistor Application AMPLIFIER
Gate to Source Voltage (Vgs) 40V
Feedback Cap-Max (Crss) 2 pF
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 750mV @ 1μA
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC -40V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 10mA
Base Part Number 2N5460
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Power Dissipation 200mW
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V
FET Technology JUNCTION
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N5460 Central Semiconductor Transistoren - JFETs 25032
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2N5460 Central Semiconductor Corp JFETs Transistoren
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