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2N5551BU Technische Spezifikationen

2N5551BU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 179mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 160V
Terminal Position BOTTOM
Frequency 300MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Gain Bandwidth Product 300MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 160V
Collector Emitter Saturation Voltage 200mV
Collector Base Voltage (VCBO) 180V
hFE Min 80
Length 5.2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Current Rating 600mA
Base Part Number 2N5551
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 160V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 100MHz
Frequency - Transition 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N5550 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 88610
2N5550 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
2N5550 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N5550BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2592
2N5550BU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2525
2N5550BU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N5550BU Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
2N5550G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 757
2N5550G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N5550G Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren

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2N5551BU Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, 2N5551BU Referenzpreis. 2N5551BU Parameter, 2N5551BU Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden 2N5551BU Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden 2N5551BU Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, 2N5551BU Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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