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2N5551RLRAG Technische Spezifikationen

2N5551RLRAG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 300MHz
Base Part Number 2N5551
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Gain Bandwidth Product 300MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 160V
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Collector Base Voltage (VCBO) 180V
hFE Min 80
Length 5.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Copper, Silver, Tin
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC 160V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 600mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 160V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 160V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N5550 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 88610
2N5550 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
2N5550 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N5550BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2592
2N5550BU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2525
2N5550BU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N5550BU Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
2N5550G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 757
2N5550G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N5550G Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren

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