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2N5639G Technische Spezifikationen

2N5639G datasheet pdf and Transistors - JFETs product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / JFETs Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 10mA
Base Part Number 2N5639
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Power - Max 310mW
Transistor Application SWITCHING
Gate to Source Voltage (Vgs) 35V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Feedback Cap-Max (Crss) 4 pF
Resistance - RDS(On) 60Ohm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 310mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Operating Mode DEPLETION MODE
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 12V VGS
Drain-source On Resistance-Max 60Ohm
FET Technology JUNCTION
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 20V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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