2N6042G Technische Spezifikationen

2N6042G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 75W
Current Rating -8A
Base Part Number 2N6042
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type PNP - Darlington
Max Collector Current 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 20μA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 15.748mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -100V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity PNP
Power Dissipation 75W
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 3A 4V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
Continuous Collector Current 8A
Length 10.2616mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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