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2N6426 Technische Spezifikationen

2N6426 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Weight 201mg
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 40V
Current Rating 1.2A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 625mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30000 @ 100mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500μA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.2V
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 30000
Radiation Hardening No
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package TO-92-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 625mW
Base Part Number 2N6426
Polarity NPN
Power Dissipation 625mW
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
Continuous Collector Current 500mA
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N6426 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 51828
2N6426 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 51828
2N6426 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 51828
2N6426G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2788
2N6426G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N6426G Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
2N6426RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2696
2N6426RLRA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N6426RLRA Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
2N6426RLRAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 8057

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