2SA1962RTU Technische Spezifikationen

2SA1962RTU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 130W
Base Part Number 2SA1962
Number of Elements 1
Power Dissipation 130W
Gain Bandwidth Product 30MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 17A
Current - Collector Cutoff (Max) 5μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 250V
Collector Base Voltage (VCBO) -250V
hFE Min 55
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Frequency 30MHz
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 55 @ 1A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A
Transition Frequency 30MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Radiation Hardening No
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