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2SA2016-TD-E Technische Spezifikationen

2SA2016-TD-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.3W
Power - Max 3.5W
Gain Bandwidth Product 330MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 7A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 240mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 200
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-243AA
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 3.5W
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Configuration SINGLE
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 40mA, 2A
Transition Frequency 290MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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2SA2016-TD-E Unterlagen

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Andere schließen ein   "2SA20"   Teile

Die folgenden Teile umfassen  '2SA20' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SA2002-T112-E MITSUBI Spezialisierte heiße ICs 5500
2SA2003 SANKEN Spezialisierte heiße ICs 2526
2SA2004 Panasonic Spezialisierte heiße ICs 697
2SA2005 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 30
2SA2005E ROHM Spezialisierte heiße ICs 913
2SA2005FU6E FAIRVIEW Spezialisierte heiße ICs 1038
2SA2006 Original Spezialisierte heiße ICs 907
2SA2007 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 852
2SA2007E LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2519
2SA2007E ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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2SA2016-TD-E Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, 2SA2016-TD-E Referenzpreis. 2SA2016-TD-E Parameter, 2SA2016-TD-E Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden 2SA2016-TD-E Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden 2SA2016-TD-E Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, 2SA2016-TD-E Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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