2SA2040-E Technische Spezifikationen

2SA2040-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 1W
Number of Elements 1
Power Dissipation 1W
Transistor Type PNP
Max Collector Current 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 330MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Bulk
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Pin Count 3
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 290MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 40mA, 2A
Collector Emitter Saturation Voltage -230mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 200
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SA2002-T112-E MITSUBI Spezialisierte heiße ICs 5500
2SA2003 SANKEN Spezialisierte heiße ICs 2526
2SA2004 Panasonic Spezialisierte heiße ICs 697
2SA2005 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 30
2SA2005E ROHM Spezialisierte heiße ICs 913
2SA2005FU6E FAIRVIEW Spezialisierte heiße ICs 1038
2SA2006 Original Spezialisierte heiße ICs 907
2SA2007 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 852
2SA2007E LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2519
2SA2007E ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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