2SB1121S-TD-E Technische Spezifikationen

2SB1121S-TD-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 75mA, 1.5A
Max Frequency 150MHz
Frequency - Transition 150MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Length 4.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 500mW
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Transistor Type PNP
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage -600mV
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
Height 1.5mm
Width 2.5mm
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SB1100 NEC Spezialisierte heiße ICs 1387
2SB1103 Original Spezialisierte heiße ICs 2612
2SB1109 Original Spezialisierte heiße ICs 2289
2SB1109C HIT Spezialisierte heiße ICs 2386
2SB1111-K NEC Spezialisierte heiße ICs 2520
2SB1114 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1355
2SB1114-T1 NEC Spezialisierte heiße ICs 53989
2SB1114-T1-AZ Renesas Electronics America Spezialisierte heiße ICs 434
2SB1114-T1/ZK NEC Spezialisierte heiße ICs 3249
2SB1114-T1/ZL NEC Spezialisierte heiße ICs 4308

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