2SB1201T-E Technische Spezifikationen

2SB1201T-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Base Part Number 2SB1201
Power - Max 800mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 1A
Frequency - Transition 150MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Bulk
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 800mW
Pin Count 3
Transistor Type PNP
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 100
Lead Free Lead Free
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