2SB1202T-E Technische Spezifikationen

2SB1202T-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 1W
Reach Compliance Code not_compliant
Base Part Number 2SB1202
Configuration Single
Transistor Type PNP
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 150MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Number of Pins 3
Packaging Bulk
JESD-609 Code e6
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 100
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