2SB1204T-TL-E Technische Spezifikationen

2SB1204T-TL-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 1W
Base Part Number 2SB1204
Element Configuration Single
Transistor Type PNP
Max Collector Current 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage -550mV
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 200
Length 6.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) -500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 4A
Max Frequency 130MHz
Frequency - Transition 130MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Height 5.5mm
Width 2.3mm
Lead Free Lead Free
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