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2SC3649S-TD-E
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2SC3649S-TD-E Technische Spezifikationen
2SC3649S-TD-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 9 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e6 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Terminal Form | FLAT |
Base Part Number | 2SC3649 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 500mW |
Gain Bandwidth Product | 120MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 1.5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 130mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 180V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Package / Case | TO-243AA |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Frequency | 120MHz |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 160V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Transition Frequency | 120MHz |
Max Breakdown Voltage | 160V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
2SC3649S-TD-E Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für 2SC3649S-TD-E
-
Datenblätter
Andere schließen ein "2SC36" Teile
Die folgenden Teile umfassen '2SC36'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
2SC3600E | Original | Spezialisierte heiße ICs | 2478 |
2SC3601 | SAY | Spezialisierte heiße ICs | 5283 |
2SC3601E | Sanyo Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 1383 |
2SC3602 | NEC | Spezialisierte heiße ICs | 1585 |
2SC3603 | NEC | Spezialisierte heiße ICs | 637 |
2SC3604 | NEC | Spezialisierte heiße ICs | 5277 |
2SC3606 | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 21393 |
2SC3606 IC | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 786 |
2SC3606TE85L | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 1779 |
2SC3607 | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 20057 |
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2SC3649S-TD-E Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, 2SC3649S-TD-E Referenzpreis. 2SC3649S-TD-E Parameter, 2SC3649S-TD-E Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden 2SC3649S-TD-E Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden 2SC3649S-TD-E Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, 2SC3649S-TD-E Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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