2SC6097-TL-E Technische Spezifikationen

2SC6097-TL-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 390MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Transition Frequency 390MHz
Max Breakdown Voltage 60V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6.5V
Height 2.3mm
Width 5.5mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 800mW
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 800mW
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 135mV @ 100mA, 1A
Max Frequency 390MHz
Collector Emitter Saturation Voltage 100mV
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 300
Length 6.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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2SC6000 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 14117
2SC6000 MOS Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 4217
2SC6001 ROHM Spezialisierte heiße ICs 6000
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2SC6010 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 96481
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2667
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