2SD1060R-1EX Technische Spezifikationen

2SD1060R-1EX datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 1.75W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 300mA, 3A
Frequency - Transition 30MHz
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Not For New Designs
Max Power Dissipation 1.75W
Transistor Type NPN
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SD1000 NEC Spezialisierte heiße ICs 967
2SD1000-D-T1 NEC Spezialisierte heiße ICs 151697
2SD1000-D-T1-AZ RENESAS Spezialisierte heiße ICs 1471
2SD1000-T1 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 90264
2SD1000-T1 IC NEC Spezialisierte heiße ICs 1330
2SD1000-T1-AZ RENESAS Spezialisierte heiße ICs 10135
2SD1000-T1-AZ/JM RENESAS Spezialisierte heiße ICs 2139
2SD1000-T1/LK NEC Spezialisierte heiße ICs 482
2SD1000-T1/LK IC NEC Spezialisierte heiße ICs 1112
2SD1000-T1/LL NEC Spezialisierte heiße ICs 2785

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