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2SD1805G-E Technische Spezifikationen

2SD1805G-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 1W
Base Part Number 2SD1805
Number of Elements 1
Power Dissipation 1W
Transistor Type NPN
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 280
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Number of Pins 3
Packaging Bulk
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Frequency 120MHz
Pin Count 3
Configuration Single
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 280 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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