2SD1815S-H Technische Spezifikationen

2SD1815S-H datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 1W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration Single
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 500mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 150mA, 1.5A
Frequency - Transition 180MHz
hFE Min 70
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Number of Pins 3
Packaging Bulk
JESD-609 Code e6
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number 2SD1815
Power - Max 1W
Transistor Type NPN
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status RoHS Compliant
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