ATP112-TL-H Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 40W Tc
Power Dissipation 40W
FET Type P-Channel
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 25A
Height 1.5mm
Width 7.3mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Package / Case ATPAK (2 leads+tab)
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43m Ω @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Turn-Off Delay Time 150 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Length 6.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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ATP112-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2732
ATP112-TL-H-T AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 9092
ATP113 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 24451
ATP113-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1303
ATP113-TL-H ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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