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ATP602-TL-H Technische Spezifikationen

MOSFET POWER MOSFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 70W Tc
Power Dissipation 70W
FET Type N-Channel
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A Ta
Rise Time 37.4ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 36.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Height 1.5mm
Width 7.3mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case ATPAK (2 leads+tab)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Pin Count 3
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 14.2 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 Ω @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 5A
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Length 6.5mm
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
ATP602-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 922
ATP60DQ60BG Microsemi Spezialisierte heiße ICs 29

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