BBS3002-DL-1E Technische Spezifikationen

BBS3002 Series 60 V 100 A 5.8 mOhm SMT P-Channel Power Mosfet - D2PAK-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 2
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 2
Element Configuration Single
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13200pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 800 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature 150°C TJ
Published 1999
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 90W Tc
Turn On Delay Time 95 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8m Ω @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Ta
Rise Time 1μs
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Fall Time (Typ) 820 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BBS3002-DL-1E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5488
BBS3002-DL-E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8896
BBS3002-TL-1E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5482
BBS3002-TL-1E ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
BBS3002-TL-1E-ENG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 199

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