BC307BTA Technische Spezifikationen

BC307BTA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC -45V
Current Rating -100mA
Base Part Number BC307
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 130MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 45V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 100mA
Collector Emitter Saturation Voltage -45V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tape & Box (TB)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 500mW
Frequency 130MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 500mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Collector Base Voltage (VCBO) -5V
hFE Min 120
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BC307 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2993
BC307 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 15206
BC307 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
BC307 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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BC307ABU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
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