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BC33825TA Technische Spezifikationen

BC33825TA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Frequency 100MHz
Base Part Number BC338
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage 700mV
Collector Base Voltage (VCBO) 10V
hFE Min 100
Length 4.58mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Weight 240mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 800mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 25V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 4.58mm
Width 3.86mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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BC338 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
BC338-16 A1G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2680
BC338-16 B1G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
BC338-25 QG Spezialisierte heiße ICs 2376
BC338-25 A1G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2616
BC338-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation Einzelne BJT-Transistoren
BC338-25 B1G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2514
BC338-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation Einzelne BJT-Transistoren

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