BC556B Technische Spezifikationen

BC556B datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package TO-92-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -65V
Current Rating -100mA
Base Part Number BC556
Polarity PNP
Power Dissipation 500mW
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 65V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Max Frequency 280MHz
Max Breakdown Voltage 65V
Collector Base Voltage (VCBO) -80V
hFE Min 110
Length 5.2mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Weight 200mg
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 625mW
Frequency 150MHz
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 625mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 65V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Collector Emitter Saturation Voltage -300mV
Frequency - Transition 280MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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BC556 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5216
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BC556 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
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BC556-B QG Spezialisierte heiße ICs 28561
BC556-C QG Spezialisierte heiße ICs 36921
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