BC640 Technische Spezifikationen

BC640 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 200.998119mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -1A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1W
Gain Bandwidth Product 150MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Collector Emitter Saturation Voltage -500mV
Collector Base Voltage (VCBO) -80V
hFE Min 25
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -80V
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code not_compliant
Frequency 100MHz
Base Part Number BC640
Qualification Status Not Qualified
Voltage 80V
Current 1A
Power - Max 625mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Transition Frequency 150MHz
Max Breakdown Voltage 80V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
REACH SVHC No SVHC
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