BC818-40LT1G Technische Spezifikationen

BC818-40LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Max Power Dissipation 225mW
Base Part Number BC818
Element Configuration Single
Power - Max 225mW
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Collector Emitter Saturation Voltage 700mV
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 250
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency 100MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 300mW
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Max Breakdown Voltage 25V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 1.11mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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