BCW30 Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package SOT-23-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -32V
Current Rating -500mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 350mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 32V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 215 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V
Collector Emitter Saturation Voltage -300mV
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Height 970μm
Width 1.3mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Weight 30mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 350mW
Base Part Number BCW30
Polarity PNP
Power Dissipation 350mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 32V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Collector Base Voltage (VCBO) -32V
hFE Min 215
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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BCW30 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 556414
BCW30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 556414
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