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BD442STU Technische Spezifikationen

BD442STU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -80V
Current Rating -4A
Base Part Number BD442
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 500mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency 3MHz
Collector Base Voltage (VCBO) -80V
hFE Min 15
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Weight 761mg
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 36W
Frequency 3MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 36W
Gain Bandwidth Product 3MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Collector Emitter Saturation Voltage -800mV
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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BD442 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
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