BD536J Technische Spezifikationen

BD536J datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 50W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 600mA, 6A
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Obsolete
Base Part Number BD536
Transistor Type PNP
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Frequency - Transition 12MHz
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BD536 STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2745
BD5360FVE-TR LAPIS Semiconductor PMIC - Aufsichtsbehörden 2599
BD5360G-TR LAPIS Semiconductor PMIC - Aufsichtsbehörden 2742
BD536J Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2608
BD536J AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0

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