BD679AS Technische Spezifikationen

BD679AS datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 40W
Base Part Number BD679
Polarity NPN
Element Configuration Single
Power Dissipation 40W
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Collector Emitter Saturation Voltage 2.8V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 4A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Weight 760.986249mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 80V
Current Rating 4A
Number of Elements 1
Voltage 80V
Current 2A
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.8V @ 40mA, 2A
Transition Frequency 10MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 80V
hFE Min 750
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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