BDV65B Technische Spezifikationen

BDV65B datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Package / Case TO-218-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 125W
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 125W
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 20mA, 5A
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 1000
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC 100V
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 10A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 10A
Lead Free Contains Lead
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BDV65 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2533
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BDV65-S Bourns, Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2634
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BDV65B-S Bourns, Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2595

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