BU323ZG Technische Spezifikationen

BU323ZG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~175°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 35V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 350V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Height 16.2mm
Width 4.9mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 150W
Current Rating 10A
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 150W
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 350V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 5A 4.6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.7V @ 250mA, 10A
Transition Frequency 2MHz
Frequency - Transition 2MHz
hFE Min 150
Length 15.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BU323Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2576
BU323Z ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BU323Z Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
BU323ZG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2680

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