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BUV21G Technische Spezifikationen

BUV21G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Copper, Silver, Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 2
Operating Temperature -65°C~200°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC 200V
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 8MHz
Pin Count 2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 8MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 40A
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 200V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-204AE
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tray
Series SWITCHMODE™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 250W
Terminal Form PIN/PEG
Current Rating 40A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation 250W
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 200V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 12A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 3A, 25A
Transition Frequency 8MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 250V
hFE Min 20
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BUV21G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 610

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