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BUV27G Technische Spezifikationen

BUV27G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 120V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 120V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 120V
Collector Base Voltage (VCBO) 240V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 70W
Current Rating 12A
Base Part Number BUV27
Number of Elements 1
Power Dissipation 70W
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN
Max Collector Current 12A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 800mA, 8A
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BUV27 STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 10251
BUV27G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2238

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