CPH3448-TL-W Technische Spezifikationen

N-Channel Power MOSFET, 30V, 4A, 50mO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code not_compliant
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 1W Ta
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50m Ω @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Ta
Rise Time 41ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 37 ns
Continuous Drain Current (ID) 4A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain-source On Resistance-Max 0.05Ohm
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