CPH3459-TL-W Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration Single
Power Dissipation-Max 1W Ta
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA Ta
Rise Time 3.5ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) 500mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.5A
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Channels 1
Turn On Delay Time 4 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ω @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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