CPH3461-TL-W Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1W Ta
Turn On Delay Time 7.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA Ta
Rise Time 7.3ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 43 ns
Continuous Drain Current (ID) 350mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.35A
DS Breakdown Voltage-Min 250V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ω @ 170mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Vgs (Max) ±10V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Drain-source On Resistance-Max 7.2Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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