CPH6442-TL-W Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin CPH T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A Ta
Rise Time 18ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) 6A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature ESD PROTECTED
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Turn On Delay Time 12 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43m Ω @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.043Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
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