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DTA123EET1 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -100mA
Base Part Number DTA123
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Power Dissipation 200mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 k Ω
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2009
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
hFE Min 8
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3432
DTA123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 598
DTA123EET1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren

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