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DTC114YM3T5G Technische Spezifikationen

DTC114YM3T5G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 260mW
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Base Part Number DTC114
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
Length 1.25mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case SOT-723
Number of Pins 3
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 260mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
Height 550μm
Width 850μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2685
DTC113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCA Original Spezialisierte heiße ICs 110632
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Co Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2646
DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 110600

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