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DTC115TET1G Technische Spezifikationen

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Pin Count 3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Package / Case SC-75, SOT-416
Number of Pins 3
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
hFE Min 160
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2685
DTC113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCA Original Spezialisierte heiße ICs 110632
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DTC113ZCA-TP Micro Commercial Co Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2646
DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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