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DTC123EET1G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Base Part Number DTC123
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 200mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
hFE Min 8
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case SC-75, SOT-416
Number of Pins 3
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 k Ω
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC123-JS ROHM Spezialisierte heiße ICs 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3294
DTC123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 30000

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DTC123EET1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC123EET1G Referenzpreis. DTC123EET1G Parameter, DTC123EET1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC123EET1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC123EET1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC123EET1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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