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ECH8420-TL-H Technische Spezifikationen

MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Power Dissipation 1.6W
FET Type N-Channel
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta
Rise Time 88ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Height 900μm
Width 2.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Pin Count 8
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 21 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8m Ω @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2430pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 115 ns
Continuous Drain Current (ID) 14A
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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