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ECH8619-TL-E Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package 8-ECH
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Resistance 93mOhm
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number ECH8619
Power Dissipation 1.5W
FET Type N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 2A
Input Capacitance 560pF
Drain to Source Resistance 93mOhm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 1.5W
Number of Elements 2
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 93 mΩ
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