FCH104N60F Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 357W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 34 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A Tc
Rise Time 58ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 37A
Gate to Source Voltage (Vgs) 5V
Avalanche Energy Rating (Eas) 809 mJ
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HiPerFET™, Polar™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 357W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104m Ω @ 18.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 98 ns
JEDEC-95 Code TO-247AB
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Height 20.82mm
Width 4.82mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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