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FCP190N60 Technische Spezifikationen

FCP190N60 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 208W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.2A Tc
Rise Time 10ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 20.2A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Avalanche Energy Rating (Eas) 400 mJ
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 208W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 64 ns
Threshold Voltage 2.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60.6A
Height 16.51mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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