FCP360N65S3R0 Technische Spezifikationen

SUPERFET3 650V TO220 PKG

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series SuperFET® III
Pbfree Code yes
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 83W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FCP360N65S3R0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2750
FCP36N60N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 19699
FCP36N60N Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 722
FCP36N60N ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FCP36N60N MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 539

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