FCPF16N60NT Technische Spezifikationen

FCPF16N60NT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 199mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 357W
Turn On Delay Time 15.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Tc
Rise Time 15.5ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 60.3 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 48A
Height 15.9mm
Width 4.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SupreMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 35.7W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199m Ω @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52.3nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 16A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Nominal Vgs 2 V
Length 10.16mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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