FD6M016N03 Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package EPM15
Packaging Tube
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case EPM15
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Series Power-SPM™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11535pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 295nC @ 10V
FET Feature Standard
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FD6M016N03 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2547
FD6M016N03 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2738
FD6M033N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2693
FD6M033N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2554
FD6M033N06 ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
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