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FDB039N06 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Packaging Cut Tape (CT)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 30 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8235pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 24 ns
Continuous Drain Current (ID) 174A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series PowerTrench®
Part Status Obsolete
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 231W Tc
Power Dissipation 231W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 40ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDB0300N1007L Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2631
FDB0300N1007L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2757
FDB0300N1007L ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB031N08 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34906
FDB031N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34906
FDB031N08 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB031N08 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1249
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